引腳分配 / 說(shuō)明

布局注意事項(xiàng)
為了獲得更好的性能，必須嚴(yán)格遵守以下準(zhǔn)則：
1. 保持所有電源線盡可能短和寬，所有電源至少使用 2 盎司銅蹤跡。
2. 在所有電路下放置一個(gè)接地板，以降低電阻和電感，并改善直流電以及瞬態(tài)性能。
3. 將輸出電容器盡可能靠近連接器，以降低阻抗（主要是電感）在端口和電容器之間，提高瞬態(tài)性能。
4. 輸入和輸出電容器應(yīng)靠近 IC 并連接到接地層減少噪聲耦合。
5. 陶瓷旁路電容器應(yīng)盡可能靠近 PW1503 的 VIN 引腳和 VOUT 引腳。

信息
PW1503 是一種限流 P 溝 MOSFET 功率開關(guān)溫度保護(hù)。沒有體二極管橫跨漏極和源 MOSFET。
它可以防止芯片失效后電流從輸出流到輸入端。
過(guò)電流保護(hù)
當(dāng)檢測(cè)到過(guò)流情況時(shí)，調(diào)節(jié)開關(guān)以實(shí)現(xiàn)恒定輸出電流。如果過(guò)流狀態(tài)持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間，并導(dǎo)致結(jié)溫超過(guò) 150° C，開關(guān)關(guān)閉。一旦結(jié)溫降至 130° C，零件將重新啟動(dòng)。
提供濾波電容器
為了防止在熱插拔條件下輸入電壓下降， 10μF 陶瓷強(qiáng)烈建議使用從 VIN 到 GND 的電容器。
不過(guò)，更高的電容也有幫助降低電壓降。此外，輸出短路將導(dǎo)致在沒有輸入電容器。當(dāng)輸入瞬態(tài)電壓超過(guò)絕對(duì)最大供電電壓，即使持續(xù)時(shí)間很短。
限流整定
電流限制可編程，以防止電源過(guò)電流和短路條件。將電阻 RADJ 從 IADJ 引腳連接到 GND，以
編程設(shè)定電流限制：
ILIM(A)=6.8/RADJ (K?)
最小電流限制為 0.4A。不建議電流限制超過(guò) 3A。
最大輸入電壓考慮
對(duì)于任何應(yīng)用， PW1503 的輸入電壓不應(yīng)超過(guò)最大值建議值（ 6V）。有些適配器可能輸出電壓公差差，或者輸出電壓過(guò)沖過(guò)大如果適配器直接熱插拔。高于 VIN（ 6V）的電壓超調(diào)將顯著降低 PW1503 的可靠性，甚至可能導(dǎo)致 IC EOS 失效。
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