12V轉(zhuǎn) 5V應(yīng)用中，大多要求會(huì)輸出電流高的，穩(wěn)壓 LDO就不能滿足了，需要使用 DC-DC降壓芯片來持續(xù)穩(wěn)壓 5V，輸出電流 1000MA， 2000MA， 3000MA， 5000MA等。不同的輸出電流可以選擇適合的降壓芯片來使用。

12V轉(zhuǎn) 3.3V，穩(wěn)壓 3.3V輸出，一般用于給 MCU單片機(jī)或者其他特殊重要模塊供電等，要求也會(huì)比較多和不一樣。例如 10MA， 100MA， 1000MA-5000MA不等。時(shí)常小電流的較多，小電流使用 LDO穩(wěn)壓芯片。

1，  LDO穩(wěn)壓芯片

40V高輸入電壓 LDO線性穩(wěn)壓器 , 高輸入電壓，低靜態(tài)電流，高速，低壓降線性穩(wěn)壓器具有高紋波抑制 .PW6206， PW6513。

特點(diǎn)

l  輸入電壓： 4.75V~40V

l  輸出電壓固定： 3V， 3.3V， 5V

l  輸出精度： <±2%

l  輸出電流： 150mA（典型值）

l  電源抑制比： 60dB@100Hz

l  跌落電壓： 600mV@IOUT=100mA

l  靜態(tài)電流： 4.2μA@VIN=12V（典型值）

l  ESD HBM:8KV

l  推薦電容器： 10uF

2  ， DC-DC降壓芯片 2A-3A

PW2162  是一個(gè)完全集成，高效率 2A同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。 PW2162在寬輸出電流負(fù)載范圍內(nèi)以高效率運(yùn)行。此設(shè)備提供兩種工作模式， PWM控制和 PFM模式開關(guān)控制，實(shí)現(xiàn)高效率在更寬的負(fù)載范圍內(nèi)。 PW2162要求現(xiàn)有的最小數(shù)量標(biāo)準(zhǔn)外部組件，并在符合 ROHS標(biāo)準(zhǔn)的 6針 SOT23封裝中提供。

特征

l   ?    效率高達(dá) 96%

l   ?   600KHz  頻率操作

l   ?   2A  輸出電流

l   ?    不需要肖特基二極管

l   ?   4.5V  至 16V輸入電壓范圍

l   ?   0.6V  參考電壓

l   ?    斜坡補(bǔ)償電流模式控制對(duì)于良好的線路和負(fù)載瞬態(tài)回應(yīng)

PW2163  是一種高效的 500kHz同步降壓 DC-DC轉(zhuǎn)換器，能夠輸送 3A電流。 PW2163在 4.5V到 18V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作集成主開關(guān)和同步開關(guān)，具有非常低的 RDS（ ON）以最小化傳導(dǎo)損失。輸出電壓紋波低，外部電感器和電容器的尺寸為 500kHz開關(guān)頻率。采用瞬時(shí) PWM結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)對(duì)于高降壓應(yīng)用 .

特征

l   內(nèi)部交換機(jī)（頂部 /底部）的低 RDS（ on）：

l   80m?/40m?

l   4.5-18V  輸入電壓范圍

l   3A  輸出電流能力

l   500 kHz  開關(guān)頻率

l   瞬時(shí) PWM架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。

l   逐周期峰值電流限制

l   內(nèi)部軟啟動(dòng)限制涌入電流

l   SOT23-6
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4V-30V輸入， 1.2A輸出的同步整流降壓器芯片 PW2312.

PW2312是一種電流模式降壓型 DC/DC轉(zhuǎn)換器，可提供優(yōu)良的瞬態(tài)特性響應(yīng)沒有額外的外部補(bǔ)償組件。此設(shè)備包含內(nèi)部低電阻，高壓功率 MOSFET，并在高 1.4MHz工作頻率下工作確保緊湊、高效的設(shè)計(jì)，具有出色的交直流性能。

PW2205  開發(fā)了一種高效率的同步降壓 DC-DC轉(zhuǎn)換器 5A輸出電流。 PW2205在 4.5V到 30V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作集成主開關(guān)和同步開關(guān)，具有非常低的 RDS（ ON）以最小化傳導(dǎo)損失。 PW2205采用瞬時(shí)脈寬調(diào)制（ PWM）結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高階躍降的快速瞬態(tài)響應(yīng)輕載時(shí)的應(yīng)用和高效率。此外，它的工作頻率是偽恒定的在連續(xù)導(dǎo)通模式下為 500kHz，以使電感器和電容器的尺寸最小。

特征

l   ?     內(nèi)部整流 MOS的低 RDS（ on）（頂部 /底部）： 70/40 mΩ

l   ?    4.5V-30V  輸入電壓范圍

l   ?     瞬時(shí) PWM架構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)

l   ?     外部軟啟動(dòng)限制涌入電流

l   ?     恒頻： 500kHz at重載

l   ?    5A  連續(xù)， 6A峰值負(fù)載電流能力